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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 射頻
PD20010STR-E參考圖片

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PD20010STR-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
晶體管類型
LDMOS
頻率
2GHz
增益
11dB
電壓 - 測試
13.6V
額定電流(安培)
5A
噪聲系數(shù)
-
電流 - 測試
150mA
功率 - 輸出
10W
電壓 - 額定
40V
封裝/外殼
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條直引線)
供應商器件封裝
PowerSO-10RF(直引線)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,PD20010STR-E的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 射頻
IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
暫無價格
參考庫存:41746
FET,MOSFET - 射頻
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
暫無價格
參考庫存:41762
FET,MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
暫無價格
參考庫存:41770
FET,MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B
暫無價格
參考庫存:41778
FET,MOSFET - 射頻
FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2
暫無價格
參考庫存:41786
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