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FET,MOSFET - 單個
PSMN3R0-60ES,127參考圖片

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PSMN3R0-60ES,127

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
130nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
8079pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
306W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAK
封裝/外殼
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
RQ5E050AT IS A SMALL SIGNAL MOSF
暫無價格
參考庫存:16360
FET,MOSFET - 單個
N-CHANNELMOSFETDPAK
暫無價格
參考庫存:138862
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
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MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR
暫無價格
參考庫存:60116
FET,MOSFET - 單個
2.5V DRIVE NCH MOSFET
暫無價格
參考庫存:16368
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