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FET，MOSFET - 單個
IRLB3036GPBF參考圖片

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IRLB3036GPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
195A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.4 毫歐 @ 165A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
140nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
11210pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
380W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
暫無價格
參考庫存:32207
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
暫無價格
參考庫存:32215
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:32223
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:32231
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
暫無價格
參考庫存:32239
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