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FET,MOSFET - 單個
STI19NM65N參考圖片

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STI19NM65N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
MDmesh? II
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
15.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
270 毫歐 @ 7.75A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
55nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1900pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAK
封裝/外殼
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
暫無價格
參考庫存:42828
FET,MOSFET - 單個
NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006
暫無價格
參考庫存:42836
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
暫無價格
參考庫存:42844
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:42860
FET,MOSFET - 單個
N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
暫無價格
參考庫存:42868
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