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FET，MOSFET - 單個
NTD12N10G參考圖片

圖片僅供參考， 請參閱產品規格

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NTD12N10G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
165 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
20nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
550pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.28W（Ta），56.6W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:43157
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:43181
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH TO220
暫無價格
參考庫存:43189
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3
暫無價格
參考庫存:43197
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43229
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