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FET,MOSFET - 單個
PMT200EN,115參考圖片

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PMT200EN,115

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
1.8A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
235 毫歐 @ 1.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
10nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
475pF @ 80V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),8.3W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-223
封裝/外殼
TO-261-4,TO-261AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL
暫無價格
參考庫存:34731
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F
暫無價格
參考庫存:34739
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:34747
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH TO-267AB
暫無價格
參考庫存:34755
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 100MA SMD
暫無價格
參考庫存:34763
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