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FET,MOSFET - 單個
SIR876DP-T1-GE3參考圖片

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SIR876DP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
40A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
10.8 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
48nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1640pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5W(Ta),62.5W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
優勢價格,SIR876DP-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
N-CHANNEL 950 V, 0.275 OHM TYP.,
暫無價格
參考庫存:54613
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
暫無價格
參考庫存:54629
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
暫無價格
參考庫存:54637
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
暫無價格
參考庫存:54645
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
暫無價格
參考庫存:54653
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