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FET，MOSFET - 單個

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IPT026N10N5ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?5
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
27A（Ta），202A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.6毫歐 @ 150A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 158μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
120nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
8800pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-HSOF-8-1
封裝/外殼
8-PowerSFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
暫無價格
參考庫存:31080
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252
暫無價格
參考庫存:13582
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:31084
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:13586
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
暫無價格
參考庫存:213588
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