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FET，MOSFET - 單個
RP1E090XNTCR參考圖片

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RP1E090XNTCR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
9A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
17 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6.8nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
440pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
MPT6
封裝/外殼
6-SMD，扁平引線
商品其它信息
優勢價格，RP1E090XNTCR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
暫無價格
參考庫存:33723
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
暫無價格
參考庫存:33731
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
暫無價格
參考庫存:33739
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
暫無價格
參考庫存:33755
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
暫無價格
參考庫存:33803
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