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FET，MOSFET - 單個
FQI8N60CTU參考圖片

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FQI8N60CTU

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
QFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.2 歐姆 @ 3.75A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1255pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），147W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAK（TO-262）
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:29955
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 8.4A I-PAK
暫無價格
參考庫存:29963
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 15A TO220
暫無價格
參考庫存:29971
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
暫無價格
參考庫存:29979
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
暫無價格
參考庫存:29987
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