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FET，MOSFET - 單個
IXFT18N100Q3參考圖片

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IXFT18N100Q3

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
660 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
6.5V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
90nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4890pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-268
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
暫無價格
參考庫存:31769
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
暫無價格
參考庫存:31777
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
暫無價格
參考庫存:31785
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 3A CPH6
暫無價格
參考庫存:31793
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
暫無價格
參考庫存:31801
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