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FET，MOSFET - 單個
IRFB3306GPBF參考圖片

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IRFB3306GPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.2 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
120nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4520pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
230W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
暫無價格
參考庫存:4832
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
暫無價格
參考庫存:15708
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 800V 6A DPAK
暫無價格
參考庫存:15092
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V SOT323
暫無價格
參考庫存:47594
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
暫無價格
參考庫存:27541
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