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FET，MOSFET - 單個
IRF6706S2TR1PBF參考圖片

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IRF6706S2TR1PBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
17A（Ta），63A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
3.8 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
20nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1810pF @ 13V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta），26W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DIRECTFET S1
封裝/外殼
DirectFET? 等容 S1
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
-60V7.7MOHMSINGLE
暫無價格
參考庫存:50861
FET，MOSFET - 單個
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
暫無價格
參考庫存:50869
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50877
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN
暫無價格
參考庫存:50887
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
暫無價格
參考庫存:50903
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