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FET，MOSFET - 單個

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BSM180C12P3C202

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
180A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5.6V @ 50mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
5.6V @ 50mA
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
9000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
880W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
模塊
封裝/外殼
模塊
商品其它信息
優(yōu)勢價格，BSM180C12P3C202的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:38717
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
暫無價格
參考庫存:38733
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML
暫無價格
參考庫存:38741
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V TO-254AA
暫無價格
參考庫存:38749
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:38757
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