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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個
SIHB33N60ET1-GE3參考圖片

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SIHB33N60ET1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 33A TO263
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
系列
E
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
33A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
99 毫歐 @ 16.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
150nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3508pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
278W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263(D2Pak)
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIHB33N60ET1-GE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:43821
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
暫無價格
參考庫存:43837
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
暫無價格
參考庫存:43869
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
暫無價格
參考庫存:43925
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
暫無價格
參考庫存:43933
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