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FET，MOSFET - 單個
GA10JT12-263參考圖片

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GA10JT12-263

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
-
技術
SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
25A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
120 毫歐 @ 10A
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1403pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
-
封裝/外殼
-
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 11A TO220
暫無價格
參考庫存:51862
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
暫無價格
參考庫存:51878
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
暫無價格
參考庫存:51910
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
暫無價格
參考庫存:51918
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
暫無價格
參考庫存:51934
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