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FET,MOSFET - 單個
SIHG22N60EF-GE3參考圖片

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SIHG22N60EF-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 19A TO-247AC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
EF
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
19A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
182 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
96nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1423pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
179W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247AC
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
暫無價格
參考庫存:55454
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
暫無價格
參考庫存:55462
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F
暫無價格
參考庫存:55470
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
暫無價格
參考庫存:55478
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
暫無價格
參考庫存:55486
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