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FET，MOSFET - 單個
SISC06DN-T1-GE3參考圖片

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SISC06DN-T1-GE3

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
27.6A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.7 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
58nC @ 10V
Vgs（最大值）
+20V，-16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2455pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
暫無價格
參考庫存:43817
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
暫無價格
參考庫存:5016
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251
暫無價格
參考庫存:10148
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:12910
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
暫無價格
參考庫存:16022
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