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FET，MOSFET - 單個
SI1062X-T1-GE3參考圖片

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SI1062X-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V SC-89
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
420 毫歐 @ 500mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
2.7nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
43pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
220mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SC-89-3
封裝/外殼
SC-89，SOT-490
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:17854
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 60A
暫無價格
參考庫存:20421
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:41777
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
暫無價格
參考庫存:41785
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:5874
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