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NAND512R3A2AZA6E

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
閃存 - NAND
存儲容量
512Mb (64M x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
60ns
訪問時間
60ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
55-TFBGA
供應商器件封裝
55-VFBGA(8x10)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,NAND512R3A2AZA6E的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:51823
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
暫無價格
參考庫存:51831
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
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存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
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參考庫存:51847
存儲器
IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA
暫無價格
參考庫存:51855
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