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存儲器
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AS4C512M8D3B-12BCNTR

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR3
存儲容量
4Gb (512M x 8)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
800MHz
寫周期時間 - 字,頁
15ns
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
1.425V ~ 1.575V
工作溫度
0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
78-TFBGA
供應商器件封裝
78-FBGA(10.5x9)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 64K SPI 1MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:27905
存儲器
IC EEPROM 64K SPI 5MHZ 8SO
暫無價格
參考庫存:27921
存儲器
8-SOIC-N, IND TEMP, 1.65V, T&R
暫無價格
參考庫存:27929
存儲器
IC FLASH 8M SPI 40MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:27937
存儲器
IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2
暫無價格
參考庫存:27945
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