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存儲器
DS1230AB-120IND參考圖片

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DS1230AB-120IND

  • Maxim Integrated
  • 最新
  • IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
256Kb （32K x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
120ns
訪問時間
120ns
電壓 - 電源
4.75V ~ 5.25V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應商器件封裝
28-EDIP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
暫無價格
參考庫存:35157
存儲器
IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA
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IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ
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IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ
暫無價格
參考庫存:35189
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