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存儲器
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CY7C2663KV18-550BZXI

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數(shù)據(jù)手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術(shù)
SRAM - 同步,QDR II+
存儲容量
144Mb (8M x 18)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
550MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應(yīng)商器件封裝
165-FBGA(15x17)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,CY7C2663KV18-550BZXI的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC FLASH 128M SPI 80MHZ 16SOIC
暫無價格
參考庫存:31983
存儲器
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA
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IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
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IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
暫無價格
參考庫存:32015
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