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FET，MOSFET - 單個

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DMT6012LFV-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
43.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
12 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
22.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1522pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.95W（Ta），33.78W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerDI3333-8（UX 類）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:43639
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
暫無價格
參考庫存:4020
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
暫無價格
參考庫存:43649
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
暫無價格
參考庫存:41720
FET，MOSFET - 單個
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
暫無價格
參考庫存:5162
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