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FET，MOSFET - 單個
IXTA1R6N100D2HV參考圖片

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IXTA1R6N100D2HV

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.6A（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
10 歐姆 @ 800mA，0V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
27nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
645pF @ 10V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263HV
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
暫無價格
參考庫存:11103
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 40V 240A D2PAK
暫無價格
參考庫存:14783
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
暫無價格
參考庫存:11435
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
暫無價格
參考庫存:12979
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
暫無價格
參考庫存:29381
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