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FET,MOSFET - 單個
SIHB10N40D-GE3參考圖片

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SIHB10N40D-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
400V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
10A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
600 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
30nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
526pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
147W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263(D2Pak)
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIHB10N40D-GE3的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 182A TO-263
暫無價格
參考庫存:52897
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
暫無價格
參考庫存:52905
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
暫無價格
參考庫存:52913
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V
暫無價格
參考庫存:52921
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
暫無價格
參考庫存:52929
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