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FET，MOSFET - 單個
PMN55ENEH參考圖片

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PMN55ENEH

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
60 毫歐 @ 3.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
19nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
646pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
560mW（Ta），6.25mW（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-TSOP
封裝/外殼
SC-74，SOT-457
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
暫無價格
參考庫存:45706
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 78A TO-220
暫無價格
參考庫存:45714
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN
暫無價格
參考庫存:45722
FET，MOSFET - 單個
T6 40V SG NCH U8FL
暫無價格
參考庫存:45730
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
暫無價格
參考庫存:1338760
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